مطالعه نظری خواص الکترونیکی و اپتیکی ga1-xalxas
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد
- نویسنده ایمان عوض زاده
- استاد راهنما سید محمد حسینی طیبه مولاروی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبga1-xalxas به ازای x=0, 0.25, 0.75, 1 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) که بر پایه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با برهمکنش های پتانسیل همبستگی تبادلی از تقریب چگالی موضعی lda و تقریب گرادیان تعمیم یافته gga بهره جسته ایم. محاسبات نشان داد که با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب، اندازه گاف بزرگتر می شود و به ازای مقادیر x=0.42 گاف انرژی از حالت مستقیم در راستای gamma-gamma به غیر مستقیم در امتداد x-gamma تبدیل می شود. نتایج بدست آمده برای gaas یک گاف نواری مستقیم در امتداد gamma-gamma به بزرگی 1.1ev و برای alas یک گاف نواری غیر مستقیم در امتداد x-gamma به مقدار 2.1ev را نشان می دهد. بررسی خواص اپتیکی نشان می دهد که ضریب شکست با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب کاهش پیدا می کند، به طوری که مقدار آن برای gaas 3.22 و برای alas 2.8 بدست آمد. با استفاده از طیف اتلاف انرژی الکترون، انرژی پلاسمون برای ترکیب ga1-xalxas را در حدود 15.4ev بدست آوردیم.
منابع مشابه
EXCITON-PHONON SYSTEM IN GaAs-Ga1-xAlxAs QUANTUM-WELL WIRES
The binding energies o f l i gh t and heavyhole exciton-phonon systems i n GaAs-Ga A1 As quantum wires are calculated as a function o f the s i z e s o f the I-x x wire for Several values of the heights o f the barrier potential. I t is found that the corrections due t o exciton-phonon coupling are quite s igni f icant . In the last few years some progress has been done in the study of electron...
متن کاملA Systematic Approach for Multidimensional, Closed-Form Analytic Modeling: Minority Electron Mobilities in Ga1−xAlxAs Heterostructures
A significant, practical challenge, which arises in developing computationally efficient physical models for use in computer simulations of microelectronic and optoelectronic devices (for example, transistors in digital cellular phones and lasers in optical networks, respectively), is to represent vast amounts of numerical data for transport properties in two or more dimensions in terms of clos...
متن کاملPolaron effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga1-xAlxAs superlattice
The effect of the bulk Longitudinal-Optical (LO) phonon on the binding energy is investigated for a shallow donor impurity in a superlattice in the effective mass approximation by using the variational approach. The results are obtained as a function of parameters which characterize the superlattice and the position of the impurity center. The results show that the bulk Longitudinal-Optical (LO...
متن کاملA Systematic Approach for Multidimensional, Closed-Form Analytic Modeling: Effective Intrinsic Carrier Concentrations in Ga1−xAlxAs Heterostructures
A critical issue identified in both the technology roadmap from the Optoelectronics Industry Development Association and the roadmaps from the National Electronics Manufacturing Initiative, Inc. is the need for predictive computer simulations of processes, devices, and circuits. The goal of this paper is to respond to this need by representing the extensive amounts of theoretical data for trans...
متن کاملمحاسبه نظری خواص اپتیکی و ساختار الکترونی تیتانات باریوم در فاز مکعبی
The electronic structure and optical properties in cubic cry stal BaTiO3 are studied using full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method in density functional theory (DFT) with the generalized gradient approximation (GGA) by WIEN2K package. The calculated results of BaTiO3 are in good agreement with other theoretical and experimental results.
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023